Número do Produto do Fabricante:
IPD09N03LA G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD09N03LA G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
12800911
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IPD09N03LA G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
OPD09N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD09N03LAGXTINTR-DG
IPD09N03LAGINTR
IPD09N03LAGINTR-NDR
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-DG
IPD09N03LAGBUMA1
IPD09N03LAG
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINTR
IPD09N03LAINTR
SP000017536
IPD09N03LA
IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAINTR-DG
IPD09N03LAGXTINCT-DG
IPD09N03LAGXT
IPD09N03LAGINCT-NDR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD090N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
94138
NÚMERO DA PEÇA
IPD090N03LGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.23
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
FDD8880
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13967
NÚMERO DA PEÇA
FDD8880-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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